大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振

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大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振，尺寸2.0x1.6mm，频率19.2MHZ，日本KDS晶振，大真空有源振荡器，有源贴片晶振，有源晶体振荡器，石英有源晶振，2016mm有源晶振，温补石英晶振，TCXO温补晶振，温度补偿晶振，贴片温补振荡器，低抖动温补晶振，低电压温补晶振，低相位温补晶振，低相噪温补晶振，低耗能温补晶振，高质量温补晶振，移动电话专用温补晶振，GPS定位温补晶振，工业应用温补晶振，无线通信温补晶振，GNSS授时模块温补晶振，具有低相位相噪的特点。

高质量晶振产品广泛应用于移动电话、GPS/GNSS、工业无线通信设备等.大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振.

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大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振参数表

型号名称		DSA211SDN (VC-TCXO )
输出频率范围		19.2MHz
标准频率		19.2 MHz/26 MHz/38.4 MHz/40 MHz/52m Hz
电源电压范围		+1.68~+3.5V
电源电压( Vcc )		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.(f≦26MHz )/+2.0mA max.(26
输出电压		0.8Vp-p min.(f≦52MHz ) (削波正弦波/DC-coupled )
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10-6max.(After 2 reflows )
	温度特性	±1.0×10-6±2.5×10-6max./-30~+85℃ ±1.0×10-6±2.5×10-6max./-40~+85℃(Option )
	电源电压特性	±0.2×10-6max.(V抄送±5% )
	负荷变动特性	±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10% )
	经时变化	±1.0×10-6max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @V抄送≧+2.6V ±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V抄送=+1.8V
频率控制	频率控制极性	正极性
启动时间		2.0ms max.。
相位噪声 Offset 100Hz Offset 1kHz Offset 10kHz Offset 100kHz		[f≦26MHz] -115dBc/Hz -130dBc/Hz -150dBc/Hz -155dBc/Hz	[26MHz -110dBc/Hz -130dBc/Hz -150dBc/Hz -155dBc/Hz	[40MHz -105dBc/Hz -125dBc/Hz -145dBc/Hz -150dBc/Hz
包装单位(1)		3000pcs./reel(φ180 )

大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振 尺寸图

大真空GNSS授时模块晶振,7DF01920A09,DSA211SDN温补晶振

温补晶振产品特点:

低电压对应

低相位噪声

单封装结构

晶振厂家	原厂代码	型号	尺寸	频率	负载/电压
KDS晶振	1XSA050000AVW	DSO751SV	7050	50.000M	3.3V
KDS晶振	ZC12456	DSB211SDN	2016	16.320M	3.3V
KDS晶振	1XXD16367MAA	DSB211SDN	2016	16.367667M	3.3V
KDS晶振	1XXB16367MAA	DSB221SDN	2520	16.367667M	2.8V
KDS晶振	1XXD24000MBA	DSB211SDN	2016	24.000M
KDS晶振	1XXD26000MAA	DSB211SDN	2016	26.000M
KDS晶振	1XXD38400MFA	DSB211SDN	2016	38.400M
KDS晶振	1XXD40000PDA	DSB211SDN	2016	40.000M
KDS晶振	1XXD32000PBA	DSB211SDN	2016	32.000M
KDS晶振	1XXD52000PBA	DSB211SDN	2016	52.000M
KDS晶振	ZC12467	DSA211SDN	2016	16.32M	3.3V
KDS晶振	7DF01920A09	DSA211SDN	2016	19.200M
KDS晶振	1XXC20000MAA	DSA211SDN	2016	20.000M
KDS晶振	1XXB16369JFA	DSB221SDN	2520	16.369M	3.3V
KDS晶振	1XXB24000MEA	DSB221SDN	2520	24.000M
KDS晶振	1XXB25000PAA	DSB221SDN	2520	25.000M
KDS晶振	1XXB26000MAA	DSB221SDN	2520	26.000M
KDS晶振	1XXB30000MBA	DSB221SDN	2520	30.000M
KDS晶振	1XXB32000PAA	DSB221SDN	2520	32.000M
KDS晶振	7ED03360A00	DSB321SDN	3225	33.6M
KDS晶振	7ED01638A03	DSB321SDN	3225	16.384M
KDS晶振	1XSE022579ARC	DSO321SR	3225	22.5792M
KDS晶振	1XTQ19200ELA	DSA535SG	5032	19.200M
KDS晶振	1XXA26000FSB	DSA221SCL	2520	26.000M
KDS晶振	1XXB38400MCB	DSB221SDN	2520	38.4M	3.3V
KDS晶振	7EE05200A02	DSB221SDN	2520	52.000M
KDS晶振	1XXA10000MBA	DSA221SDN	2520	10.000M	3.3V
KDS晶振	1XXA26000MAA	DSA221SDN	2520	26.000M
KDS晶振	1XXA32000MBA	DSA221SDN	2520	32.000M
KDS晶振	1XXA20000CAA	DSA221SDN	2520	20.000M	3.3V
KDS晶振	1XTW16368FEA	DSB321SCL	3225	16.368M	2.8V
KDS晶振	1XSE009600AV	DSO321SV	3225	9.6M	3.3V
KDS晶振	1XSE098304AR2	DSO321SR	3225	98.304M	3.3V
KDS晶振	1XTW38400MAA	DSB321SDN	3225	38.400M
KDS晶振	1XTV21700PAA	DSA321SDN	3225	21.7M
KDS晶振	ZC12965	DSA321SDN	3225	23.04M	3.3V
KDS晶振	1XVD008192VB	DSV321SV	3225	8.192M	3.3V
KDS晶振	1XVD024000VA	DSV321SV	3225	24.000M	3.3V
KDS晶振	1XVD030240VA	DSV321SV	3225	30.240M	3.3V
KDS晶振	1XVD051993VB	DSV321SV	3225	51.993652M	3.3V
KDS晶振	1XVD059928VA	DSV321SV	3225	59.9285M	3.3V
KDS晶振	1D73375GR1	DSF633SDF	6035	73.35M
KDS晶振	1D21407AQ3	DSF753SAF	7050	21.400M
KDS晶振	1D21430FQ4	DSF753SCF	7050	21.4M
KDS晶振	1D44818GQ1	DSF753SBF	7050	44.85M
KDS晶振	1D49915GQ24	DSF753SDF	7050	49.95M
KDS晶振	1D51610GQ1	DSF753SBF	7050	51.65M
KDS晶振	CSTLS8M00G53-B0	CSTLS	9060	8.000M	15PF
KDS晶振	CSTLS4M00G53-B0	CSTLS	9060	4.000M	15PF
KDS晶振	CSTNE8M00G520000R0	CSTNE	3213	8.000M	10PF
KDS晶振	CSTNE8M00G550000R0	CSTNE	3213	8.000M	33PF
KDS晶振	CSTNE10M00G520000R0	CSTNE	3213	10.000M	10PF
KDS晶振	CSTNE10M00G550000R0	CSTNE	3213	10.000M	33PF
KDS晶振	CSTNE12M0G550000R0	CSTNE	3213	12.000M	33PF
KDS晶振	CSTNE16M0V53-R0	CSTNE	3213	16.000M	15PF
KDS晶振	XRCGB24M00F0L00R0	XRCGB	3225	24.000M