高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作
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有源石英晶振，无论是温补晶体也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内
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贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。
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卡迪纳尔超低成本的时钟振荡器，Cardinal是一家专注于研发设计高质量元器件的供应商，通过不断打磨自身的有源石英晶振产品，并因此赢得广大用户的追棒，随着电子行业的快速发展，迎来更多机会的同时，也有大量的需求无法被满足，Cardinal公司利用自身的资源，不断挖掘市场的需求，并针对性提供完美的解决方案。
Cardinal Components Inc，Inc .致力于通过提高产量、降低成本、提高客户满意度以及满足员工对培训、安全和士气的期望来持续提高质量。
高速串行总线体系结构是今天的高性能设计。While并联总线标准正在发生一些变化，串行总线跨多个市场和设备建立电脑、手机、娱乐系统，以及更多串行总线具有性能优势电路和电路板布局。串行数据链路的行为就像当他们从一个在处理系统中指向另一个。确保准确的交付和接收，数字数据系统由时钟和数据恢复（CDR）管理电路，然后在数据系统。准确收据的关键对数据的解释特别与了解有关精确地说，时钟边沿在任何时间点的“位置”。
由于发射和接收设备可以任何地方——从同一个桌面到另一边世界上每一个不同的地方都有影响可能影响时钟运行方式的位置或环境从发送数据到时间a的边缘漂移设备接收并解释数据。这些影响是多方面的，并且包括温度，物理运动/振动，甚至时钟信号源的体系结构。结果要么有准确的数据，要么没有，以及“不”显然在任何系统中都不是一个选项。对于最终用户——这可能意味着体验质量差，并干扰互联网会话和相关内容服务（语音质量差，观看不均衡视频内容或损坏的数据文件的体验内容）。作为时钟边沿与它被预期的位置被称为“抖动”。有its中通常使用的抖动的三个量化测量：
这可以被视为“精细焦点”测量这通常被称为“绝对抖动”时钟边缘的位置与它的理想位置——通常由使用
网络分析仪（图A）；
峰值抖动和峰峰值抖动 这可以被认为是“粗糙的” 测量和被分解成两部分特点:
周期抖动（又名周期抖动）任意一个时钟周期之间的差异以及理想或平均时钟周期——通常通过测量显示示波器的信号周期（图B） ，和循环到循环抖动--任意两个相邻时钟周期的持续时间。它对于某些类型的时钟来说可能很重要微处理器中使用的生成电路和RAM接口，并用示波器（图C）
抖动性能/规格限制由ITU-T等标准化机构确定，Telcordia和IEEE。规范和测试本地以太网（IEEE）抖动的方法不同与用于SDH/SONET/SyncE（ITU-T、Telcordia）的那些不同。
作为下一代串行标准的数据速率增加，模拟异常对信号完整性和质量。信号通路中的导体，包括电路板
迹线、过孔、连接器和布线具有回波损耗的输电线路效应降低信号电平、引起偏斜的反射，并增加噪声，从而增加抖动。每件事但是从基本系统时钟信号开始（SYSCLK或主时钟）。与重要时钟信号的性能特征、成本产生信号的方式可能会有很大的变化10倍--取决于体系结构和设计使用的方法。
帮助实现系统设计没有过多的性能保护带（以及因此成本过高），本文的重点是提供不同体系结构的更新用于创建符合每个特定高速串行数据实施方案。具体的抖动类型，定义和符合性测试方法已经有很好的记录，不会重复.
用于创建系统时钟是石英晶体振荡器（“XO”），一种经过验证的技术使用多年。晶体振荡器本身具有固有抖动特性及其输出抖动根据设计/电路及其单元而变化价格智能系统设计师意识到系统/产品/设计的成本本身就是需要满足的“规范”。这篇文章一起描述了创建信号的每种方法带有推荐表以帮助潜在用户
避免产生比必需的.
美国IDT时钟晶体振荡器的优势，美国IDT公司是一家小有名气的频率元器件供应商，主要向市场提供低成本高精度的石英晶振，时钟振荡器，有源石英晶振等产品，伴随着行业快速发展，对于IDT公司而言，也迎来极大的挑战，为了能够突破目前的困境，实现快速增长，IDT公司结合目前的市场需求，凭借着自身独特的创新能力，专注于打磨品质优良，性能出色的产品，产品一经推出便得到市场极佳的反响，并为IDT公司未来发展打下基石。
每位产品设计师每天都必须处理电磁兼容性(EMC)或电磁干扰(EMI)问题，尤其是在使用石英振荡器等频率确定元件时。安装在石英晶体振荡器中的ic会产生陡峭、边缘锐利的侧翼，并产生强烈的谐波泛音。扩频振荡器是解决这一问题的一种方法，但在许多应用中无法使用。例如，在中心扩展为0.5%的情况下，输出频率在f在外0.5%.给定33.333或66.666MHz的频率，0.5%的频率调制意味着频率调制范围为33.333 MHz±166.665kHz或66.666MHz±333.330kHz，这对精确计时来说太大了。这些应用通常只允许50 ppm，或者说低100倍。50ppm的频率稳定性相当于33.333MHz时的容差为1.66665kHz，或66.666 MHz时的容差为3.3333kHz。在这种情况下，开发商迄今为止不得不采取非常昂贵的措施来降低EMC–EMI。这已经没有必要了。Landsberg am Lech的Petermann-Technik基于创新的IC技术——下一代时钟——提供高度多样化的SMD硅时钟振荡器，具有软电平输出信号。软电平技术是一种可编程输出信号，通过延长上升时间(t)可以显著降低LVCMOS输出信号的谐波含量升高)和下降时间(t秋天).软电平技术允许根据客户要求精确调整输出信号。
软级别功能的作用
图1显示了LVCMOS输出信号的周期t和t升高和t秋天20 %到80 %之间。图2显示了正常LVCMOS方波信号(红线)与+3.3V电源电压下的软电平LVCMOS输出信号(蓝线)的边沿轮廓直流电。该图清楚地显示了SoftLevel函数如何使方波的边缘变圆(产生类似鲨鱼鳍的形状),从而显著降低谐波泛音。图3显示了EMC–EMI衰减(奇次谐波)与输出信号周期t的关系。t升高和t秋天与时钟信号的周期t成比例。美国IDT时钟晶体振荡器的优势.
MVIP5陶瓷六脚晶振,MVIL3贴片石英晶振,MVAH514针插件晶振,MVAH314针插件晶振,MVBH58针DIP晶振,MVBH38针DIP晶振,MVIH55070陶瓷晶振,MVIH3有源压控晶振,MVKH5VCXO贴片晶振,MVKH3有源石英晶振
ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖动晶振ECS-1633-192-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖动晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶体振荡器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR无源晶振ECS-3X8耐高温晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶体ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大体积晶振ECS-3953M-040-BN-TR贴片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低损耗晶振ECS-160-20-3X-TR无源晶振ECS-2033-240-BN大体积晶振ECS-3953M-018-BN-TR进口晶体振荡器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品质晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英贴片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小体积贴片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3225S25-240-FN-TR贴片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英贴片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶体振荡器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR进口晶体振荡器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶体ECX-P33BN-250.000石英贴片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美国伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高频晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美国进口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品质晶振ECX-L32CM-155.520高频晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3525-480-B-TR贴片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美国进口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高频晶振
ECX-P33BN-200.000美国伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖动晶振ECS-3525-600-B-TR进口晶体振荡器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高温晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶体ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美国ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶体振荡器ECS-3225S18-400-FN-TR贴片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低损耗晶振ECS-60-32-5PX-TR无源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高温晶振ECX-L32CM-148.500高频晶振ECX-P33BN-24.000石英晶体振荡器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR进口晶体振荡器ECS-42-12-5PX-TR高品质晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶体振荡器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶体振荡器ECS-3953M-250-B-TR石英晶体振荡器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美国进口晶振ECS-2018-300-BN低抖动晶振ECS-2033-240-AU美国伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大体积晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶体ECS-40-S-5PX-TR美国进口晶振ECX-L32CM-200.000高频晶振ECS-40-20-5PXDN-TR无源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶体振荡器ECS-3953M-100-B-TR美国进口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低损耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高温晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶体振荡器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品质晶振ECS-2033-320-AU低抖动晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶体ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美国进口晶振ECX-L32CM-148.3516高频晶振ECX-P33BN-16.000低抖动晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶体振荡器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美国进口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶体振荡器ECS-120-20-46X无源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低损耗晶振
