以当今电子产品的发展形势来看,未来向高性能,高度集成,小体积方向发展是必然的,如此一来,对石英晶振行业就相当于提出了新的需求,所以现在许多石英晶体厂家都在致力于研发小尺寸,高精度,低衰减,低相噪,高稳定的晶振生产技术;就在近日村田晶振公司就推出了一款用于Wi-Fi设备小型2016尺寸晶体谐振器.

随着"LTE"的普及,"毫微微小区"的重要性会增加."毫微微小区"是指在非常狭小的区域使用的基站.为了保持高速数据通信,基站区域内的利用用户数量不得超过一定数量.在市中心等单位面积的便携式终端利用用户数密度高的地区,通过更加细致地分割通信区域,可以实现舒适的数据通信环境.并且,通信区域的细分化对消除因电波故障导致的无法连接区域也有效.具有比传统微小区基站更精细的通信区域分配的"毫微微小区"基站被认为是有前景的.一般关于网络基站中采用的都是比较高性能高要求的晶振,如差分晶振.

日本是世界上屈指可数的能够接受便宜且高度医疗产品晶振的医疗先进国家.但是近年来,医疗的环境随着少儿老龄化的发展和医疗技术的高度化等发生了很大变化.在这样的情况下,希望提高医疗服务质量的同时,增加医疗服务质量的使用者的声音很强烈,另一方面,医疗从业者方面对严峻的工作环境要求改善.要求改革确保国民对医疗的安心,使将来能够享受高质量的医疗服务的医疗制度.

OCXO晶振提供了时序性能的巅峰.很少有时间供应商能够达到OCXO级稳定性,即大约±50ppb(十亿分之一)或更高.由于OCXO提供Stratum3E*级时序稳定性,因此它们用于高吞吐量通信网络,每个新一代都需要更严格的时序性能.展望未来,OCXO对于支持自动驾驶汽车等关键任务服务的新兴5G和IEEE1588同步应用至关重要.高精度振荡器被设计成保持在温度变化频率,其主要理由稳定性中的一个降低,通过用温度补偿电路和加热元件沿着包围谐振器.但即使这些"烤箱"设备设计为保持内部温度恒定,传统的OCXO仍然容易受到环境温度变化的影响,特别是当温度变化很快时.

很快,汽车将拥有自己的超级计算机.并且这些时钟提供了这些系统的心跳,汽车将需要超过70个计时设备.虽然今天的汽车依赖于GPS和备用摄像头等SITIME晶振的计时设备,但自动驾驶汽车需要更精确的计时.他们必须把时间保持在十亿分之一秒！基于微机电系统的时序解决方案提供任意频率,更宽的温度范围,更高的频率稳定性,更好的封装选项的晶振元件,可编程电磁干扰降低特性,高质量和可靠性以及较短的提前期.最重要的是,SiTime的微机电系统振荡器能够承受恶劣汽车环境中出现的振动,电噪声,快速气流和温度瞬变,同时性能稳定且符合规格.

Silicon Labs新的Si54x超系列XO系列为设计人员提供了更高的性能,可靠性和高要求时序应用的安心感并推出了一系列新的高性能石英晶体振荡器(XOs),提供业界最低抖动频率的灵活解决方案.Si54xUltra系列XOs可在整个工作范围内为整数和小数频率提供低至80飞秒的超低抖动性能.这些XO为要求苛刻的应用(包括100G/200G/400G线路卡和光学模块,超大规模数据中心,宽带,无线基础设施,广播视频,工业,测试和测量以及军事/航空航天)

晶振里面的RF参数是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300kHz～300GHz之间.射频就是射频电流,简称RF,它是一种高频交流变化电磁波的简称.每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流.射频(300K-300G)是高频(大于10K)的较高频段,微波频段(300M-300G)又是射频的较高频段.

在稳定性,可靠性,稳健性以及低相位噪声和抖动方面具有优势,微机电系统MEMS晶振正在进军汽车和电信等应用领域,这些应用需要提高定时性能和高性能可承受极端环境条件的可靠性部件.其中一个例子是MicrochipTechnologyInc.的DSA系列,该系列于今年早些时候首次亮相,是业界首款汽车级多输出MEMS振荡器."技术进步和现代车辆中复杂电子系统的日益普及需要卓越的时序性能和可靠性,"Microchip表示."对于确保在当今高度先进的汽车系统中精确操作,时序精度,精度和对恶劣环境的耐受性至关重要."

在高性能市场中,频率控制制造商也在改进其恒温晶体振荡器(OCXO),压控晶体振荡器(VCXO)和温度补偿晶体振荡器(TCXO)的产品阵容.极端的环境条件.为了满足这些要求,SiliconLabs的产品组合现在包括提供频率灵活性和低抖动的Si539x时钟以及Si56XUltra系列石英晶体振荡器(XO)和VCXO.EcliptekLLC还提供卓越的RMS相位抖动和相位噪声性能,提供多电压石英晶体振荡器,占地面积小,尺寸为2.5×3.2mm(带有四个焊盘).该器件的稳定性低至±20ppm,工作温度范围为-40°C至85°C.

恒温晶体振荡器(OCXO)市场报告根据烤箱控制晶体振荡器(OCXO)行业中的领先部分(如类型,地区,应用,技术和精英参与者),包含重要的销售和收入统计数据.该报告针对历史(2014-2019年)事件,关于行业现状的讨论,并提供截至2024年的有价值的预测信息.全面分析当代趋势,需求谱,增长率和关键区域烤箱控制晶体振荡器(OCXO)的市场探索也体现在本报告中.领先的主要晶振有-NDK晶振,Epson晶振,Vectron晶振,Microcrystal晶振,Rakon晶振,BlileyTechnologies晶振,KDS晶振,Taitien晶振,CTS晶振,GreenrayIndustries晶振,NEL晶振,IDT晶振,Abracon晶振,KVG晶振.

石英晶振的末端是否接近?可能不是.然而,随着新的集成体声波(BAW)器件的出现,晶体将在许多时钟和定时电路中被替换.鉴于大多数工程师必须在某些时候处理或处理时钟和定时电路,因此您应该考虑这一点.BAW是一种与石英晶体不同的小结构.它由两块金属板或薄膜之间的超薄压电薄膜组成(图1).当被电压激发时,器件以特定频率振荡,如晶振.频率取决于压电薄膜的厚度.

       ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖动晶振ECS-1633-192-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖动晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶体振荡器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR无源晶振ECS-3X8耐高温晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶体ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大体积晶振ECS-3953M-040-BN-TR贴片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低损耗晶振ECS-160-20-3X-TR无源晶振ECS-2033-240-BN大体积晶振ECS-3953M-018-BN-TR进口晶体振荡器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品质晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英贴片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美国伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小体积贴片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3225S25-240-FN-TR贴片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英贴片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶体振荡器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR进口晶体振荡器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶体ECX-P33BN-250.000石英贴片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美国伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高频晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美国进口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品质晶振ECX-L32CM-155.520高频晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶体振荡器ECS-3525-480-B-TR贴片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美国进口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高频晶振

      ECX-P33BN-200.000美国伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖动晶振ECS-3525-600-B-TR进口晶体振荡器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高温晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶体ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美国ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶体振荡器ECS-3225S18-400-FN-TR贴片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低损耗晶振ECS-60-32-5PX-TR无源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高温晶振ECX-L32CM-148.500高频晶振ECX-P33BN-24.000石英晶体振荡器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR进口晶体振荡器ECS-42-12-5PX-TR高品质晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶体振荡器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶体振荡器ECS-3953M-250-B-TR石英晶体振荡器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美国进口晶振ECS-2018-300-BN低抖动晶振ECS-2033-240-AU美国伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大体积晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶体ECS-40-S-5PX-TR美国进口晶振ECX-L32CM-200.000高频晶振ECS-40-20-5PXDN-TR无源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶体振荡器ECS-3953M-100-B-TR美国进口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低损耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高温晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶体振荡器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品质晶振ECS-2033-320-AU低抖动晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶体ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美国进口晶振ECX-L32CM-148.3516高频晶振ECX-P33BN-16.000低抖动晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶体振荡器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美国进口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶体振荡器ECS-120-20-46X无源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低损耗晶振