Fox Quartz Crystal设计与制作，美国FOX公司是一家超级注重于品质的元器件供应商，为了好的品质不惜一切代价在一个小细节上面死磕，只为了让用户好的体验，凭借着精湛的工艺，卓越的性能，过硬的品质使得其在行业之中得到无数的称赞，随着不断增长的需求，福克斯公司意识到新的机会来临，便利用长期积累的经验，针对新的需求开发高质量低成本的石英晶振，产品具有轻薄小低功耗低损耗的特点，比较适合用于网络设备，智能产品，电子数码等领域.

晶体仅在最终应用中提供频率选择元件。有外部并且需要增益级来实现最终所需的时钟信号。这个晶体频率范围通常被认为小于160MHz。这个频率以上的晶体需要复杂的电路设计，调谐困难，需要专门的高频晶体。

需要提供CMOS或BJT增益级，有许多可接受的配置。这个该级的输入和输出阻抗会影响电路Q。放大器噪声水平会影响这两者相位噪声和抖动。该级如何在有源增益区偏置对振荡器至关重要启动。此外，该阶段的带宽会影响启动特性。如果振荡器电路为了在泛音上操作晶体，放大器中需要一个频率选择装置电路，以确保电路在所需的晶体泛音处仅具有所需的增益和相移。
振荡器电路在晶体谐振时产生交流电流。此交流电流或驱动器液位必须低于临界值，否则晶体可能会损坏。过大的电流会导致晶体运动超过弹性极限而断裂。XY切割（音叉）32.768KHz手表晶体必须限制在约5µA或更小，否则晶体的尖端将断裂。
>1MHz的SMD无源晶体通常是AT切割晶体。这些设备可以容忍较宽的驱动器级别范围在达到毫瓦驱动水平之前，不会发生断裂。增加的老化可能发生在更高的µW驱动范围。过度驱动晶体会激发不想要的振动模式。这些可以导致在不同的狭窄温度范围内出现严重的频率跳跃。
在大多数情况下，晶体在无功负载下运行。这样可以调整最终最终应用中的频率。这通常需要校正频率变化与水晶的时间。CLOAD值决定了频率与负载电容的灵敏度。AT切割晶体对于低值可以具有30ppm/pF的灵敏度。使用更高的负载值电容降低了灵敏度，但增加了振荡启动的难度。CLOAD温度特性可以改变振荡器的频率对温度的响应。
晶体的频率响应由晶体穿过原子的切口决定石英晶体的平面。这导致了稳定且可重复的温度响应。这个曲线图显示了AT切割晶体的不同切割的频率-温度响应。每个曲线有2分钟的弧度不同。

每条曲线是通过石英晶体的原子平面的切割的2分钟弧的变化。

晶体有许多参数需要指定，以确保接收到符合最终应用程序要求。
•频率
•校准，设定点为25°C

•CLOAD
•稳定性，频率与25°C温度的关系
•工作温度范围
•Cl的最大ESR，晶体谐振电阻
•C0范围，引脚间电容
•LMOTIONAL或CMOTIONAL，设置晶体的拉出能力
•驱动级别
•频率和电阻的驱动电平依赖性（DLD）
•老化
•绝缘电阻
还有其他规范，如每°C允许的最大频率变化，或平滑曲线允许的最大响应（扰动控制）。

进货检验或测试需要专用设备：
•晶体阻抗计（CI计）
•具有特殊测试夹具和软件的网络分析仪
电路板布局对于实现最佳性能至关重要。以下是一些注意事项：
•导线长度必须尽可能短。
•晶体引线阻抗高，对噪声非常敏感。
•电容器和晶体封装的接地节点不得涉及循环噪声源的电流。
•如果引线上的泄漏路径低于500K欧姆，这可能会影响振荡器的启动并且还将使频率偏移多达几个ppm。

理解Crystek高性能振荡器的相位噪声，一心一意专注于打磨低成本高质量产品为主的Crystek公司,凭借着自身才智与实力，源源不断为行业贡献自我的价值，同时也为用户提供高于其需求的产品，并得到广大用户的好评，为了突破自我，Crystek公司开始针对于新的市场需求优化与更新自身的产品，也为了能够让用户拥有更加广泛的选择空间而作出一番努力，经过一段的打磨，便有了突飞猛进的效果。

在帮助理解相位噪声和抖动的同时高性能振荡器，本文还考察了振荡器相位噪声对系统性能的影响，强调使用超低相位噪声的重要性系统中的振荡器。

对于一个电气工程师来说，在理想的世界里噪音但什么是噪音？什么是电噪声？或更多本文的重点是：什么是相位噪声？作为工程师，我们凭直觉知道系统中的低噪声比高噪声好噪音然而，我们必须通常量化这种噪音接受的单位。我们还将检查相位的差异商品与低成本、高性能晶体振荡器的噪声性能。了解成本振荡器之间的性能权衡对于系统设计。很多时候我们看到两个竞争系统在性能上差别很大，但在价格上没有。这个振荡器相位噪声特性将主导整个系统性能和在振荡器可以提高系统的性能。
然而工程师可以容易地过度指定振荡器，因此，关键是要准确理解有源晶体振荡器相位噪声（或抖动）限制了系统性能。帮助有了这样的理解，关于相位噪声和抖动的教程就在顺序.

振荡器相位噪声和抖动在振荡器中，相位噪声是指输出信号的相位分量。这个方程式信号为：

上面，Δφ（）t是相位噪声，但A0将建立信噪比。图1说明了这一点。
噪声信号是随机的，从广义上讲，噪声可以被表征为干扰要处理或生成的主信号。它会干扰诸如电压、电流、相位等的任何物理参数，频率（或时间）等。因此，我们的想法是最大化信号并最小化噪声，以获得高信噪比SNR.

美国IDT时钟晶体振荡器的优势，美国IDT公司是一家小有名气的频率元器件供应商，主要向市场提供低成本高精度的石英晶振，时钟振荡器，有源石英晶振等产品，伴随着行业快速发展，对于IDT公司而言，也迎来极大的挑战，为了能够突破目前的困境，实现快速增长，IDT公司结合目前的市场需求，凭借着自身独特的创新能力，专注于打磨品质优良，性能出色的产品，产品一经推出便得到市场极佳的反响，并为IDT公司未来发展打下基石。

每位产品设计师每天都必须处理电磁兼容性(EMC)或电磁干扰(EMI)问题，尤其是在使用石英振荡器等频率确定元件时。安装在石英晶体振荡器中的ic会产生陡峭、边缘锐利的侧翼，并产生强烈的谐波泛音。扩频振荡器是解决这一问题的一种方法，但在许多应用中无法使用。例如，在中心扩展为0.5%的情况下，输出频率在f在外0.5%.给定33.333或66.666MHz的频率，0.5%的频率调制意味着频率调制范围为33.333 MHz±166.665kHz或66.666MHz±333.330kHz，这对精确计时来说太大了。这些应用通常只允许50 ppm，或者说低100倍。50ppm的频率稳定性相当于33.333MHz时的容差为1.66665kHz，或66.666 MHz时的容差为3.3333kHz。在这种情况下，开发商迄今为止不得不采取非常昂贵的措施来降低EMC–EMI。这已经没有必要了。Landsberg am Lech的Petermann-Technik基于创新的IC技术——下一代时钟——提供高度多样化的SMD硅时钟振荡器，具有软电平输出信号。软电平技术是一种可编程输出信号，通过延长上升时间(t)可以显著降低LVCMOS输出信号的谐波含量升高)和下降时间(t秋天).软电平技术允许根据客户要求精确调整输出信号。

软级别功能的作用
图1显示了LVCMOS输出信号的周期t和t升高和t秋天20 %到80 %之间。图2显示了正常LVCMOS方波信号(红线)与+3.3V电源电压下的软电平LVCMOS输出信号(蓝线)的边沿轮廓直流电。该图清楚地显示了SoftLevel函数如何使方波的边缘变圆(产生类似鲨鱼鳍的形状),从而显著降低谐波泛音。图3显示了EMC–EMI衰减(奇次谐波)与输出信号周期t的关系。t升高和t秋天与时钟信号的周期t成比例。美国IDT时钟晶体振荡器的优势.

康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍，优秀的Connor-winfield晶振公司凭借其50多年的历史以及丰富的生产经验和技术服务，不断的更新创造更具有价值的频率控制产品。并通过自身的不懈的努力，打磨优质的产品，产品具有高精度，高频率，高性能，小体积，高温度，低抖动等特点，产品包含温补晶振，压控晶振，石英晶体振荡器等产品。尽管引及了竞争性谐振器技术，但与目前可用的任何其它频率控制技术相比，基于石英的振荡器在长期和短期稳定性精度以及低抖动和低相位噪声信号生成方面继续提供最高水平的性能。

大多数IC带有内置有源晶体振荡器电路采用Gated-Pierce设计，其中振荡器是围绕单个CMOS反相门构建的。对于振荡器的应用这通常是一个单一的反相包括一个P通道和一个N通道的级增强型MOSFET，更常见在数字世界中，作为一个无缓冲逆变器（见图。1） 。可以使用缓冲逆变器（通常包括三个串联的P-N MOSFET对），但是数千的相关收益将导致可能不太稳定的成品振荡器。

一个实用的振荡器电路如图2所示包括所述未缓冲反相器、两个电容器，两个电阻器和石英晶体。了解如何该振荡器工作CMOS反相门必须被视为具有增益、相位和传播延迟约束，而不是作为逻辑设备使用1和0。康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍

图3显示了直流传输特性（Vin与。Vout）和未缓冲的DC偏置点线HCMOS逆变器74HCU04。在3.3V和1M? 对于Rf，逆变器将与其输入和输出一起放置电压约为1.65V。这种逆变器现在被认为是在其线性区域中被偏置。输入的微小变化电压将被增益放大，并显示为输出电压的变化较大。

图4显示了一组典型的开环增益曲线相同的74HCU04。在3.3V时，逆变器的增益为20（26 dBV）从DC到2MHz，具有3dB衰减频率为8.5MHz，并且看起来仍然具有增益超过100MHz。
为了将这种偏置反相门用作振荡器，它必须具有足够的增益克服了反馈网络的损耗（图中的C1、C2、Rlim和石英晶体。2） ，振荡频率下的负电阻足以超过晶体等效串联电阻，以及整个电路周围的相移360度。人们很容易想到这种74HCU04逆变器可以用来制造工作频率超过100MHz的振荡器，因为它在3.3V时有足够的增益，但实际上由于各种振荡器环路周围的相移。
该电路的分析很难概括，因为它非常依赖于家族所使用的CMOS门以及该特定CMOS家族的内部构造。全部的CMOS反相门具有输入电容、输出电容和输出“电阻”和传播延迟，所有这些都会影响C1、C2和Rlim的选择如图2所示，并最终确定OSC晶振的较高工作频率。选择偏置电阻器Rf通常在1M之间? 和10M?, 降低一个值将有效出现在水晶上，并可能导致水晶在杂散或泛音频率。康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍.
考虑一个ESR为15的20MHz晶体?, 3pF的C0，需要负载电容为20pF，晶体功耗约为100µW。

从20pF的期望负载电容开始，这可以近似为C1+栅极输入电容（1至5pF是典型值）与C2串联。C1的比率至C2将影响增益和晶体功率耗散。一个好的起点是C1≈C2。为了增加环路增益（并降低晶体功耗），使C1＜C2。这对于负载电容为20pF，栅极具有~3pF的输入电容。

瑞斯克石英晶体振荡器说明书，随着电子行业的产品越来越多元化，为了更好顺应市场的变化，Crystek公司利用自身的优势，针对目前振动器产品进行深入研究与探索说明，并研发设计出极具有价值的石英晶体振荡器，并因此吸引了广泛用户的关注，产品融合的高质量低抖动低电压的特点，可以满足不同应用程序的需求，同时也优化相噪声，又获得极好的用户体验。

图1中的皮尔斯门振荡器得到了大多数设计师的认可，但很少有人了解如何正确指定晶体。拓扑结构中使用的晶体图1可以是基本的AT-CUT或BT-CUT。BT-CUT晶体质量差与AT-CUT相比，频率随温度的稳定性。此拓扑使用平行晶体而不是串联晶体。当指定平行晶体时，晶体制造商还将要求您指定负载电容。

要了解负载电容，请考虑串联LC电路，其中晶体是L，负载电容是C。谐振LC电路的频率将作为L和C的函数而变化在晶体情况下，L是固定的（温度不是参数）。瑞斯克石英晶体振荡器说明书.

晶体数据表上的参数由负载电容是25°C时中心频率的公差或校准。如果有源晶体振荡器电路设计不匹配负载电容值，则中心频率将不在数据表的公差限制。有趣的是并联晶体要求其电容负载有效串联其端子。
那么，您的皮尔斯门振荡器向结晶如图2所示的一个简单计算将告诉您。

图2中大多数设计师忽略的最重要的事实是反相器门的内部输入和输出电容。这些与外部（C1和C2）相比在值上是显著的。如果Cin和Cout没有指定，那么每个5 pF的猜测值是好的开始以后可以通过改变启动来优化电路C1和C2的值。所以，不要放弃你的主要宽容；计算您的振荡器电容负载。

既然你知道了如何计算负载电容电路呈现给水晶，您应该选择什么负载电容？在回答这个问题之前，你需要知道晶体中心频率对负载的灵敏度电容。这被称为微调灵敏度S，由下式给出：

其中Cm是晶体的运动电容，
Co是晶体的分流电容，
Cload是负载电容。
从修剪灵敏度方程中，你可以看到，你制作的Cload越小，就越大微调灵敏度。换句话说，如果你正在设计一个固定频率的时钟，那么你选择一个高的Cload值，比如20 pF。但是，如果你正在设计一个可变频率振荡器（VCXO）选择诸如14pF的低Cload值。瑞斯克石英晶体振荡器说明书.

ECS Inc. International’s ECS-TXO53-S3 is a new series of surface mount stratum 3 temperature compensated crystal oscillators. This family of TCXOs comes in a 5.0 mm 3.2 mm x 1.80 mm multi-pad ceramic package that offers a frequency stability of ±280ppb over the standard industrial operating temperature range of -40ºC to +85ºC. With the HCMOS output, multi-pad configurations and standard frequencies between 10 MHz and 52 MHz, the ECS-TXO53-S3 provides excellent phase noise performance. Ideal for femtocell, nanocell and instrumentation applications. 

完美适合纳米细胞的温补晶体振荡器ECS-TXO53-S3-33-500-BN-TR，ECS晶振国际公司的ECS-TXO53-S3是一种新型表面贴装三层温补晶体振荡器系列。该系列tcxo采用5.0 mm 3.2 mm x 1.80 mm多衬垫陶瓷封装，在-40ºC至+85ºC的标准工业工作温度范围内提供±280ppb的频率稳定性。凭借HCMOS输出，多衬垫配置和10 MHz至52 MHz之间的标准频率，ECS-TXO53-S3提供了出色的相位噪声性能。理想的家庭电池，纳米电池和仪器应用。

小尺寸的ECS无源晶体支持时序解决方案ECS-200-20-5PXDN-TR，更高的等效串联电阻 (ESR) 是工程师在使用更小的无源晶振晶体时会看到的其他东西。ESR是内部电阻，代表电子电路中的能量损失。几乎每个电路都会有不同程度的某种 ESR。

ESR的水平取决于许多因素，例如特定的结构、材料、质量等。ESR可以在从几毫欧到几欧（或 1,000 毫欧）的任何地方测量。如果ESR太高，您可能会看到不同的结果，例如晶振功率损耗、效率低下和电路不稳定。

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出众的工业设计有助于提高产品的辨识度,从众多竞争对手中脱颖而出,美国苹果公司就是工业设计典型的成功案例.生产橡胶按钮制品发展至今客户已经遍及全球,其50%以上的产品远销海外.尽管遭遇金融风暴但获利状况反而逆势增长,究其原因在于恶劣的经济环境是考验企业生存力的试金石,一些运营状况不佳的企业挺不过危机被淘汰,从而形成新的市场格局,而坚持到最后的企业可能取得更多的市场份额.

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苹果手机A16芯片晶体管性能提升多少SG3225VAN爱普生LVDS差分晶振X1G004241015600

苹果在发布会上说,A16Bionic着力于3个部分,分别是能效powerefficiency、显示display和摄像头camera.抛开后两个不谈,只说能效而不说性能,或许说明了A16单纯在性能上的提升并不大-我们此前说A15以及相同CPU微架构的M2的CPU性能提升就不算特别大.这是否表明了苹果这两年在芯片设计上遇到了瓶颈?当然能效上的打磨价值也非常大,这也一直是苹果的优势.前不久还谈过今年更早的那批所谓的4nm芯片大概率都是假4nm,而A16极有可能才是真4nm,是不是应该有点满意?SG3225VAN爱普生晶振X1G004241015600,苹果手机A16芯片晶体

客户是我们的焦点我们通过超越客户对VCXO振荡器产品、服务和态度的期望，建立成功的客户合作关系，同时确保我们的知识当我们交换信息和共享知识时，财产是受保护的。我们从了解客户的需求开始，以赢得我们的信誉生产高质量的产品，提供全面的整体系统解决方案，并履行承诺。我们相信每个员工都必须有效为内部客户提供服务，以使Microchip的外部客户得到适当的服务。