返回首页| 手机网站 | 收藏本站| 网站地图 会员登录| 会员注册

欢迎光临深圳市火运电子有限公司!

火运电子有限公司成熟的技术与服务

全国服务热线0755-29952551

当前位置首页 » 资讯中心 » 行业资讯 » 苹果手机A16芯片晶体管性能提升多少SG3225VAN爱普生LVDS差分晶振X1G004241015600

苹果手机A16芯片晶体管性能提升多少SG3225VAN爱普生LVDS差分晶振X1G004241015600

返回列表 来源:火运电子 查看手机网址
扫一扫!苹果手机A16芯片晶体管性能提升多少SG3225VAN爱普生LVDS差分晶振X1G004241015600扫一扫!
浏览:- 发布日期:2022-09-24 10:07:02【
分享到:

苹果手机A16芯片晶体管性能提升多少SG3225VAN爱普生LVDS差分晶振X1G004241015600

苹果在发布会上说,A16Bionic着力于3个部分,分别是能效powerefficiency、显示display和摄像头camera.抛开后两个不谈,只说能效而不说性能,或许说明了A16单纯在性能上的提升并不大-我们此前说A15以及相同CPU微架构的M2CPU性能提升就不算特别大.爱普生晶振这是否表明了苹果这两年在芯片设计上遇到了瓶颈?当然能效上的打磨价值也非常大,这也一直是苹果的优势.前不久还谈过今年更早的那批所谓的4nm芯片大概率都是假4nm,A16极有可能才是真4nm,是不是应该有点满意?

QQ截图20220924093327

SG3225VAN爱普生晶振X1G004241015600,苹果手机A16芯片晶体

爱普生有源晶振编码 型号 频率 长X宽X高 输出波 电源电压 工作温度 频差
X1G004241014800 SG3225VAN 116.713000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241014900 SG3225VAN 322.265625 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241015000 SG3225VAN 133.333333 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241015100 SG3225VAN 108.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241015300 SG3225VAN 300.120000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241015400 SG3225VAN 160.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241015500 SG3225VAN 148.351648 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241015600 SG3225VAN 250.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241015800 SG3225VAN 243.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241016200 SG3225VAN 148.351648 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-20 ppm
X1G004241016300 SG3225VAN 108.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-20 ppm
X1G004241016400 SG3225VAN 148.351600 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-20 ppm
X1G004241016500 SG3225VAN 625.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241016700 SG3225VAN 144.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241016900 SG3225VAN 415.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241017100 SG3225VAN 128.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-50 ppm
X1G004241017200 SG3225VAN 128.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241017300 SG3225VAN 161.132812 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241017400 SG3225VAN 656.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241018000 SG3225VAN 657.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241018100 SG3225VAN 625.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-30 ppm
X1G004241018400 SG3225VAN 148.350000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G004241018500 SG3225VAN 300.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-20 ppm
X1G004241018700 SG3225VAN 234.375000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-30 ppm
X1G004241018800 SG3225VAN 117.187500 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS 2.250 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-30 ppm

苹果A16堆了160亿个晶体管——A15实则也有150亿晶体管,以及这颗新的SoC芯片在显示引擎和ISP上下了点工夫,那么堆料上能够分派给CPUGPU的余地也就不大了.石英晶振所以性能提升真的不做好.不过A16用上了台积电的4nm工艺,5nm先进不是?今年苹果iPhone14系列新品发布会,谈到A16芯片的部分信息算是少;连往常都要出面谈两句Apple Silicon架构的Johny Srouji都没出现,就A16芯片都没有怎么介绍,实在是手机APSoC爱好者的不理解.

SG3225VAN爱普生晶振X1G004241015600,苹果手机A16芯片晶体

QQ截图20220924093103

推荐阅读

    【本文标签】:SG3225VAN爱普生LVDS差分晶振X1G004241015600 苹果手机A16芯片晶体
    【责任编辑】:火运电子版权所有:http://www.longhusz.com转载请注明出处
    点击这里给我发消息