ILSI晶振,有源晶振,ISM20晶振,2016mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
ILSI晶振 |
单位 |
晶振参数 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
1-80MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-50°C to +150°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100 µW Max |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF to 32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +125°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
1.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
2.使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。金属面晶振,ISM16晶振,有源晶振
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。金属面晶振,ISM16晶振,有源晶振
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。
ILSI晶振,有源晶振,ISM20晶振
自从欧盟颁布各项绿色环保指令(如RoHS)后,世界各国高信赖性四脚晶振已陆续制定公布相关之法令规章,推动「绿色产品」的发展。ILSI晶振电子为了对环境与人类贡献一己之力,导入绿色设计之概念,致力生产符合国际绿色环保指令与客户特殊要求有源晶振,压控振荡器,贴片晶振。
我们知道,人类的永续发展需要干净的环境,如果我们无线设备振荡器产品中的物质会对环境造成污染,影响到人类生存的基本条件,不论产品的功能再先进再齐全,也无法对环境与社会带来多大的帮助。
为追求生产绿色产品之目标,将环保理念纳入采购流程中,采购人员于收集市场资讯时,优先提供符合「ILSI晶振电子无有害物质管理作业标准」之材料相关资讯予产品设计人员参考,并依其要求提供符合规范之样品与规格。金属面晶振,ISM16晶振,有源晶振
原材物料承认时,采购人员须请供应商填写公司提供之问卷表单及相关RoHS检测报告,经原材物料相关有源晶体振荡器审验单位审查通过后,方可使用。
ILSI晶振,有源晶振,ISM20晶振