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大多数IC带有内置有源晶体振荡器电路采用Gated-Pierce设计,其中振荡器是围绕单个CMOS反相门构建的。对于振荡器的应用这通常是一个单一的反相包括一个P通道和一个N通道的级增强型MOSFET,更常见在数字世界中,作为一个无缓冲逆变器(见图。1) 。可以使用缓冲逆变器(通常包括三个串联的P-N MOSFET对),但是数千的相关收益将导致可能不太稳定的成品振荡器。
一个实用的振荡器电路如图2所示包括所述未缓冲反相器、两个电容器,两个电阻器和石英晶体。了解如何该振荡器工作CMOS反相门必须被视为具有增益、相位和传播延迟约束,而不是作为逻辑设备使用1和0。康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍
图3显示了直流传输特性(Vin与。Vout)和未缓冲的DC偏置点线HCMOS逆变器74HCU04。在3.3V和1M? 对于Rf,逆变器将与其输入和输出一起放置电压约为1.65V。这种逆变器现在被认为是在其线性区域中被偏置。输入的微小变化电压将被增益放大,并显示为输出电压的变化较大。
图4显示了一组典型的开环增益曲线相同的74HCU04。在3.3V时,逆变器的增益为20(26 dBV)从DC到2MHz,具有3dB衰减频率为8.5MHz,并且看起来仍然具有增益超过100MHz。
为了将这种偏置反相门用作振荡器,它必须具有足够的增益克服了反馈网络的损耗(图中的C1、C2、Rlim和石英晶体。2) ,振荡频率下的负电阻足以超过晶体等效串联电阻,以及整个电路周围的相移360度。人们很容易想到这种74HCU04逆变器可以用来制造工作频率超过100MHz的振荡器,因为它在3.3V时有足够的增益,但实际上由于各种振荡器环路周围的相移。
该电路的分析很难概括,因为它非常依赖于家族所使用的CMOS门以及该特定CMOS家族的内部构造。全部的CMOS反相门具有输入电容、输出电容和输出“电阻”和传播延迟,所有这些都会影响C1、C2和Rlim的选择如图2所示,并最终确定OSC晶振的较高工作频率。选择偏置电阻器Rf通常在1M之间? 和10M?, 降低一个值将有效出现在水晶上,并可能导致水晶在杂散或泛音频率。康纳温菲尔德石英晶体振荡器介绍.
考虑一个ESR为15的20MHz晶体?, 3pF的C0,需要负载电容为20pF,晶体功耗约为100µW。
从20pF的期望负载电容开始,这可以近似为C1+栅极输入电容(1至5pF是典型值)与C2串联。C1的比率至C2将影响增益和晶体功率耗散。一个好的起点是C1≈C2。为了增加环路增益(并降低晶体功耗),使C1<C2。这对于负载电容为20pF,栅极具有~3pF的输入电容。
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下面介绍的是物理和 超微型的电特性 低轮廓AT切割石英晶体谐振器以及其生产方法的概述。
AT切割石英晶体谐振器已经用于精密频率控制 超过60年,今天是世界上广泛使用的晶体类型。而 传统的AT晶体是圆盘形的 对更小元件的需求导致了微型自动测试条的研制。到 满足制造商对均匀的需求小型元件,FOX公司 开发了一种超小型低姿态石英晶体作为其CX-4家族的一部分 产品。作为比较,CX-4只需要大约三分之一的土地面积 CX一号和大约一半的土地CX的面积-3。(参见表1和图一。)