GPS导航晶振,DSA211SDN,压控温补晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振，DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸为2.0x1.6mm，是2016晶振，频率是20.000MHZ，日本进口晶振，支持低电压，低相位噪声，单封装结构，用途为手机、GPS/GNSS、工业无线电通信等，符合 ROHS/无铅。VC-TCXO晶振应用：智能手机晶体、无线基站、精密仪器、GPS卫星、汽车应用等。日本KDS晶振，大真空有源振荡器，有源贴片晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，压控温补晶振，GPS导航晶振，大真空2016晶振。

GPS导航晶振,DSA211SDN,压控温补晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振

DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸为2.0x1.6mm，是2016晶振，频率是20.000MHZ，日本进口晶振，支持低电压，低相位噪声，单封装结构，用途为手机、GPS/GNSS、工业无线电通信等，符合 ROHS/无铅。VC-TCXO晶振应用：智能手机晶体、无线基站、精密仪器、GPS卫星、汽车应用等。日本KDS晶振，大真空有源振荡器，有源贴片晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，压控温补晶振，GPS导航晶振，大真空2016晶振。

类型		DSA211SDN （VC-TCXO）
频率范围		12.288 至 52MHz
标准频率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
电源电压范围		+1.68 至 +3.5V
电源电压 （VCC)		+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
电流消耗		最大 +1.5mA （f≦26MHz）/最大 +2.0mA （26<f≦52MHz）
输出电平		最小 0.8Vp-p （f≦52MHz） （削波正弦波/直流耦合）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定性	宽容	±1.5×10-6以下（2次回流焊后）
	与温度	±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-30 至 +85°C
		±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-40 至 +85°C（可选）
	与电源电压	最大 ±0.2×10-6（VCC±5%）
	与负载变化	最大 ±0.2×10-6（10kΩ//10pF±10%）
	vs. 衰老	±1.0×10-6最大值/年
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10-6至 ±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧ +2.6V
		±3.0×10-6 至±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
	响应斜率	阳性
启动时间		最大 2.0ms
相位噪声		[f≦26MHz]	[26MHz<f≦40MHz]	[40MHz<f≦52MHz]
偏移 100Hz		-115dBc/Hz	-110dBc/Hz	-105dBc/Hz
偏移 1kHz		-130dBc/Hz	-130dBc/Hz	-125dBc/Hz
偏移 10kHz 偏移 100kHz		-150dBc/Hz	-150dBc/Hz	-145dBc/Hz
		-155dBc/Hz	-155dBc/Hz	-150dBc/Hz
包装单位		3000 个/卷 （Φ180）

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所有晶振产品的共同点
1、抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
2、辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害，因此应避免照射。
3、化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4、粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
5、卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6、静电
过高的静电可能会损坏产品，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。