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当前位置: 首页 » 贴片晶振
KDS晶振,DSB211SDT晶振,TCXO晶振

KDS晶振,DSB211SDT晶振,TCXO晶振

频率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

KDS晶振,DSB211SDM晶振,DSB211SDB晶振,温补晶体振荡器

KDS晶振,DSB211SDM晶振,DSB211SDB晶振,温补晶体振荡器

频率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

KDS晶振,DSB211SCM晶振,温补振荡器

KDS晶振,DSB211SCM晶振,温补振荡器

频率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

KDS晶振,DSS753SVD晶振,SPXO振荡器

KDS晶振,DSS753SVD晶振,SPXO振荡器

频率:12~168MHz
尺寸:7.3×4.9mm pdf 晶振技术
参数资料

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

KDS晶振,DSS753SVC晶振,石英晶体振荡器

KDS晶振,DSS753SVC晶振,石英晶体振荡器

频率:12~168MHz
尺寸:7.3×4.9mm pdf 晶振技术
参数资料

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

KDS晶振,DSO1612AR晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSO1612AR晶振,贴片晶振

频率:0.584375~8...
尺寸:1.6×1.2mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO753SK晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSO753SK晶振,贴片晶振

频率:13.5~212.5...
尺寸:7.3×4.9mm pdf 晶振技术
参数资料

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

KDS晶振,DSO753SJ晶振,日产进口有源晶振

KDS晶振,DSO753SJ晶振,日产进口有源晶振

频率:13.5~212.5...
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO753SD晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO753SD晶振,普通有源晶振

频率:13.5~212.5...
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO753HV晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO753HV晶振,有源晶振

频率:170~230MHz
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

KDS晶振,DSO753HK晶振,石英晶体振荡器

KDS晶振,DSO753HK晶振,石英晶体振荡器

频率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶体振荡器

KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶体振荡器

频率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

Abracon晶振,SMD晶振,ABC2晶振,ABC2-16.000MHZ-4-T晶振

Abracon晶振,SMD晶振,ABC2晶振,ABC2-16.000MHZ-4-T晶振

频率:3.5~70MHZ
尺寸:11.8*5.5mm pdf 晶振技术
参数资料
  小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品
KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,贴片有源晶振

KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,贴片有源晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,贴片型普通有源晶振

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,贴片型普通有源晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO321SW晶振,贴片有源晶振

KDS晶振,DSO321SW晶振,贴片有源晶振

频率:3.25~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225贴片晶振

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225贴片晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

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