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美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器

频率:125MHZ

尺寸:7.00mmx5.00mm

美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器,尺寸为7.00mmx5.00mm,频率125MHZ,输出逻辑LVDS,XO时钟振荡器(标准),电压为3.3V,脚位6-SMD,LVDS输出晶振,美国进口晶振,差分晶体振荡器,石英晶体振荡器,有源贴片晶振,超声波差分晶振,网络专用差分晶振,测试测量专用差分晶振,低功耗差分晶振,低抖动差分晶振,具有低抖动低电压的特点,很适合用于超声波,SDH,网络,SD/HD视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si530/531 XO利用天空解决方案的先进DSPLL®电路提供一个高频低抖动时钟。Si530/531 OSC晶振可提供从10到945MHz的任意速率输出频率,并选择频率到1400MHz。与传统的XO不同,每个输出频率都需要一个不同的晶体,而Si530/531使用一个固定的晶体来提供一个大范围的输出频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供特殊的频率稳定性和可靠性。美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器.


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Abracon-2

LH-1

美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器,尺寸为7.00mmx5.00mm,频率125MHZ,输出逻辑LVDS,XO时钟振荡器(标准),电压为3.3V,脚位6-SMD,LVDS输出晶振,美国进口晶振,差分晶体振荡器,石英晶体振荡器,有源贴片晶振,超声波差分晶振,网络专用差分晶振,测试测量专用差分晶振,低功耗差分晶振,低抖动差分晶振,具有低抖动低电压的特点,很适合用于超声波,SDH,网络,SD/HD视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si530/531 XO利用天空解决方案的先进DSPLL®电路提供一个高频低抖动时钟。Si530/531 OSC晶振可提供从10到945MHz的任意速率输出频率,并选择频率到1400MHz。与传统的XO不同,每个输出频率都需要一个不同的晶体,而Si530/531使用一个固定的晶体来提供一个大范围的输出频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供特殊的频率稳定性和可靠性。美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器.LH-2

美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器      参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS



111
99
90
81
121
108
98
88
mA
Tristate mode 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD V
VIL 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 85 ºC
Table 2. CLK± Output Frequency Characteristics
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1,2 fO LVPECL/LVDS/CML 10 945 MHz
CMOS 10 160 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,3 –7
–20
–50
  
  
+7
+20
+50
ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Table 3. CLK± Output Levels and Symmetry
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO mid-level V DD – 1.42 V DD – 1.25 V
VOD swing (diff) 1.1 1.9 VPP
VSE swing (single-ended) 0.55 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
CML Output Option2 VO 2.5/3.3 V option mid-level     V DD – 1.30     V
1.8 V option mid-level     V DD – 0.36     V
VOD 2.5/3.3 V option swing (diff) 1.10 1.50 1.90 VPP
1.8 V option swing (diff) 0.35 0.425 0.50 VPP
CMOS Output Option3 V OH I OH= 32 mA 0.8 x V DD     V DD V
VOL I OL= 32 mA         0.4 V
Rise/Fall time (20/80%) tR,t F LVPECL/LVDS/CML         350 ps
CMOS with CL= 15 pF     1     ns
Symmetry (duty cycle) SYM LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:
  V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2
45     55 %

LH-3Abracon-1

美国Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太网晶振 Si531差分振荡器     尺寸图Si530 Si531

进口有源晶振产品特性:

可用于任何速率输出

频率从10兆赫到945兆赫

并选择1.4 GHz的频率

具有卓越性能的第三代DSPLL®

抖动性能

频率稳定性比

SAW振荡器

内部固定晶体频率

确保高可靠性和低成本

可用的CMOS、LVPECL、LVDS和CML输出

3.3、2.5和1.8 V电源选项

行业标准5 x 7毫米

包装和引脚

无铅/符合RoHSSi530 Si531 1 Si530 Si531 2

更多相关Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码 晶振厂家 Series型号 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Frequency Stability频率稳定度
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon Labs Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531FC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531FC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
536EB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536BB125M000DG Silicon Labs Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
531AC622M080DG Silicon Labs Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Silicon Labs Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
510ABA000149BAG Silicon Labs Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAG Silicon Labs Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
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