鸿星晶振,压控振荡器,D3SV晶振

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鸿星晶振,压控振荡器,D3SV晶振

频率：1.74~54.0MHz

尺寸：3.2*2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-29952551

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鸿星晶振,压控振荡器,D3SV晶振,鸿星晶振有限公司于1979年成立，产品由专业石英晶振，贴片晶振，电阻器、电容器制造厂，公元1991年于台湾投入石英晶振的研发制造、1991年开始在中国大陆拓展生产基地，至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处。
鸿星晶振已经成为全球从事石英晶振频率控制组件的重要制造商之一，致力于插件晶振(DIP)与(SMD)贴片晶振，有源晶振,压控振荡器系列产品之研发、设计、生产与营销。
鸿星晶振致力于提供客户最优异的质量、服务及价值，专注于专业创新并鼓励员工以团队合作及积极成长的态度与时俱进。
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

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鸿星晶振规格	单位	MHZ贴片晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.74MHZ~54.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.longhusz.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.鸿星晶振,压控振荡器,D3SV晶振

（1）柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型	晶振焊接条件
插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下比如：椭圆形引脚插件,圆柱晶体引脚插件	手工焊接+300°C或低于3秒钟请勿加热封装材料超过+150°C
SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°	+260°C或低于@最大值 10 s 请勿加热封装材料超过+150°C

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鸿星晶振科技股份有限公司，依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’，以界定本公司环境/安卫管理系统之范围，包括任何排除之细节及调整，并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系，包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。 鸿星晶振,压控振荡器,D3SV晶振
1.为环境保护和降低成本开发晶振绿色技术。
2.为协调发展，共同参与社会的环境、健康与安全的改善活动。
3.在产品的整个生命周期内确定、评价和改进重要的环境、健康和安全因素。
4.建立和维护以国际协定和国家环境、健康与安全法律法规为基础的企业内部标准。
5.为防止事故的发生和制造清洁的生产环境，开发生产过程的安全技术，明确紧急状态反应的职责。

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