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EPSON晶振,高精度TCXO晶振,TG-5006CJ晶振

EPSON晶振,高精度TCXO晶振,TG-5006CJ晶振

频率:13~52MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
EPSON晶振,有源晶振,TG2016SBN晶振

EPSON晶振,有源晶振,TG2016SBN晶振

频率:13~55MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
EPSON晶振,TCXO晶振,TG2520CEN晶振

EPSON晶振,TCXO晶振,TG2520CEN晶振

频率:12~52MHZ
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
EPSON晶振,TG3225CEN晶振,3225贴片晶振

EPSON晶振,TG3225CEN晶振,3225贴片晶振

频率:12~52MHZ
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
EPSON晶振,TG1612SAN晶振,温补晶体振荡器

EPSON晶振,TG1612SAN晶振,温补晶体振荡器

频率:13~52MHZ
尺寸:1.6×1.2mm pdf 晶振技术
参数资料
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面声波振荡器

EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面声波振荡器

频率:100~200MHZ
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
EPSON晶振,SAW振荡器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

EPSON晶振,SAW振荡器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

频率:100~700MHZ
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料
石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
EPSON晶振,SAW振荡器,XG-1000CA/CB晶振

EPSON晶振,SAW振荡器,XG-1000CA/CB晶振

频率:50~170MHZ
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,可编程有源晶体,SG-8506CA晶振

EPSON晶振,可编程有源晶体,SG-8506CA晶振

频率:50~800MHZ
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,有源晶体振荡器,SG-9001LB晶振

EPSON晶振,有源晶体振荡器,SG-9001LB晶振

频率:10~166MHZ
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

频率:50~800MHZ
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG-8101系列晶振

EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG-8101系列晶振

频率:0.67~170MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,可编程石英晶体振荡器,SG-8003晶振

EPSON晶振,可编程石英晶体振荡器,SG-8003晶振

频率:1~166MHZ
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,贴片晶体振荡器,SG-8002CE晶振

EPSON晶振,贴片晶体振荡器,SG-8002CE晶振

频率:1~125MHZ
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,贴片振荡器,SG5032CAN晶振

EPSON晶振,贴片振荡器,SG5032CAN晶振

频率:1~75MHZ
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振

EPSON晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振

频率:1.2~75MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
EPSON晶振,贴片有源晶振,SG2016CAA晶振

EPSON晶振,贴片有源晶振,SG2016CAA晶振

频率:1.2~75MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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