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KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

频率:32.768KHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO221SN晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSO221SN晶振,2520有源晶振

频率:1.5625~100...
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SHF晶振,SPXO晶体振荡器

KDS晶振,DSO221SHF晶振,SPXO晶体振荡器

频率:1.5~80MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SH晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSO221SH晶振,2520有源晶振

频率:3.5~52MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶体振荡器

KDS晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶体振荡器

频率:3.25~52MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO213AW晶振,2016贴片有源晶振

KDS晶振,DSO213AW晶振,2016贴片有源晶振

频率:3.25~60MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AR晶振,贴片型石英晶体振荡器

KDS晶振,DSO211AR晶振,贴片型石英晶体振荡器

频率:0.4~80MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AN晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO211AN晶振,有源晶振

频率:1.5625~100...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AH晶振,2016石英晶振

KDS晶振,DSO211AH晶振,2016石英晶振

频率:3.25~52MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO211AB晶振,普通有源晶体振荡器

KDS晶振,DSO211AB晶振,普通有源晶体振荡器

频率:3.25~52MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSF753SDF滤波器,SAW滤波器

KDS晶振,DSF753SDF滤波器,SAW滤波器

频率:20~130MHz
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

KDS晶振,DSF753SBF滤波器,5070贴片滤波器

KDS晶振,DSF753SBF滤波器,5070贴片滤波器

频率:30~70MHz
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

KDS晶振,DSF753SAF,DSF753SCF滤波器,贴片型声表面滤波器

KDS晶振,DSF753SAF,DSF753SCF滤波器,贴片型声表面滤波器

频率:16~130MHz
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

KDS晶振,SAW滤波器,DSF444SCF滤波器

KDS晶振,SAW滤波器,DSF444SCF滤波器

频率:60~130MHz
尺寸:3.8×3.8mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

KDS晶振,SAW滤波器,DSF444SAF滤波器

KDS晶振,SAW滤波器,DSF444SAF滤波器

频率:40~130MHz
尺寸:3.8×3.8mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

KDS晶振,贴片晶体滤波器,DSF334SCF滤波器

KDS晶振,贴片晶体滤波器,DSF334SCF滤波器

频率:60~130MHz
尺寸:3×3mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

KDS晶振,DSF334SAF滤波器,声表面滤波器

KDS晶振,DSF334SAF滤波器,声表面滤波器

频率:45~130MHz
尺寸:3×3mm pdf 晶振技术
参数资料

晶体内部石英晶片均采用了全自动压电石英晶片清洗技术,采用高压喷淋清洗,兆声振动的原理,一个全自动、清洗过程由PLC控制,由传输装置、喷淋清洗段、喷淋漂洗段、风力吹水段等, 操作自动化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由设备自动完成。根据需要,对速度,温度,时间等参数进行调整,使之最大限度的满足工艺需要。

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