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KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

频率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶体振荡器

KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶体振荡器

频率:0.2~167MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,贴片型普通有源晶振

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,贴片型普通有源晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO321SW晶振,贴片有源晶振

KDS晶振,DSO321SW晶振,贴片有源晶振

频率:3.25~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO321SR晶振,32.768K有源晶振

KDS晶振,DSO321SR晶振,32.768K有源晶振

频率:32.768KHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO321SN晶振,有源晶体振荡器

KDS晶振,DSO321SN晶振,有源晶体振荡器

频率:1.5625~100...
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

频率:3.5~52MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225贴片晶振

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225贴片晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,贴片晶振

频率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

频率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

频率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520贴片有源晶振

KDS晶振,DSO221SW晶振,2520贴片有源晶振

频率:3.25~60MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

频率:32.768KHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO221SN晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSO221SN晶振,2520有源晶振

频率:1.5625~100...
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SHF晶振,SPXO晶体振荡器

KDS晶振,DSO221SHF晶振,SPXO晶体振荡器

频率:1.5~80MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SH晶振,2520有源晶振

KDS晶振,DSO221SH晶振,2520有源晶振

频率:3.5~52MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

KDS晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶体振荡器

KDS晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶体振荡器

频率:3.25~52MHz
尺寸:2.5×2.0mm pdf 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

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