石英晶体有天然的也有人造的,是一种重要的压电晶体材料,石英晶体本身并非振荡器,它只有借助于有源激励和无源电抗网络方可产生振荡,石英晶体振子是振荡器中的重要元件,晶体的频率(基频或n次谐波频率)及其温度特性在很大程度上取决于其切割取向.石英晶体谐振器的基本结构(金属壳)封装及其等效电路.下面是一些石英晶振比较少见的的术语词汇.

活性下降

一种不需要的石英晶振特性,表现出晶体电阻和谐振频率的突然变化,然后同样突然地回到先前的值.晶体驱动电平和负载电容对活性骤降有很大影响.

老化

石英晶体谐振器内部变化引起的频率随时间的系统变化.老化通常表示为每年百万分之几(ppm/年)的最大值.老化的速度本质上是对数的.以下因素影响晶体老化:谐振器表面污染物的吸附和解吸,安装和粘接结构的应力释放,材料除气和密封完整性.

角

谐振器毛坯相对于主晶轴从石英材料切割的角度(以度,分和秒为单位).切割角度是控制石英晶体单元频率与温度性能的主要因素.

AT切割晶体单元

一种特殊类型石英晶体切割的分类.自动切割是当今最流行的切割类型,适用于兆赫范围内的晶体单元.AT切割被分类为厚度剪切体声波晶体单元,具有立方频率对温度的关系,拐点接近室温.它因其出色的温度频率特性而广受欢迎.

基地

底座通常被称为支架或集管,是石英晶体单元封装的子组件.

空白的

没有支架或底座的半加工石英晶体谐振器.

BT切割晶体单元

一种特殊类型石英晶体切割的分类.BT切割以与at切割大致相反的角度进行处理,并被归类为厚度剪切晶体单元,其具有抛物线频率-温度曲线,拐点接近室温.因此,在给定的工作温度范围内,BT切割晶体将表现出比AT切割晶体更大的频移.

电容比

晶体分流电容除以晶体运动电容.作为晶体负载电容给定变化的直接结果的并联负载谐振频率变化的指示器.在VCXO应用中,当频率调制需要晶体并联谐振频率的变化时,可以指定电容比,符号“r”.当在物理石英晶体设计中实现时,该比值有局限性.

陶瓷封装

通常被称为头部或无引线芯片载体(LCC),这是一种使用陶瓷作为主要封装材料制造的表面贴装晶体封装.该封装与金属盖或盖子集成在一起,为石英晶体提供了一个气密密封的外壳.

晶体切片

晶体坯板相对于石英棒的晶轴切割.晶体切割的类型影响晶体的老化频率稳定性和其他参数.

晶体等效电路

晶体器件由镀有金属的石英谐振器毛坯组成.该镀层位于贴片晶振的两侧,并连接到晶体封装上的绝缘引线.该器件在两个晶体电极之间表现出压电响应,如由以下元件组成的晶体等效电路所示:运动电容,运动电感,运动电阻和分流电容.

晶体振荡器

一种计时装置,由石英晶体谐振器和振荡器维持电路组成,集成在单个封装中,提供特定参考频率的输出波形.这个术语通常缩写为XO或SPXO(简单封装石英晶体振荡器).

晶体单元

一种计时装置,由石英晶体谐振器及其相关封装组成.

驱动电平

流过晶振的驱动或激励电流的函数,驱动电平是晶体中的功耗,以微瓦或毫瓦表示.最大驱动功率是器件在保证所有电气参数的情况下仍能保持工作的最大功耗.驱动水平应保持在启动正常启动和确保稳态振荡所需的最低水平.过高的驱动水平会导致老化特性不佳和晶体损坏.

等效串联电阻

晶体器件的电阻元件,单位为欧姆.在晶体的串联谐振频率下,运动电感(L1)和运动电容(C1)具有相等的欧姆值,但相位正好相反.最终结果是它们相互抵消,只有一个电阻保留在等效电路的串联支路中.ESR测量仅在串联谐振频率下进行,而不是在某个预定的并联谐振频率下进行.

弯曲振动

音叉晶体谐振器的一种振动模式,其中振动板的弯曲运动用作振荡源.这种振动适用于低频晶体器件.

频率

以赫兹为单位,它是一个时间单位内事件的周期性重复.在电路中,它是共振板在一秒钟内振荡或振动的次数.

频率稳定度

工作温度范围内与环境温度频率的频率偏差量.该术语表示为最小和最大百分比(%)或百万分之几(ppm),由以下主要因素决定:石英切割类型和石英贴片晶振切割角度.一些次要因素包括:工作模式,负载电容和驱动水平.

频率公差

通常称为校准精度,它是指室温(25℃)下与指定标称频率的频率偏差量.该术语表示为最小和最大百分比(%)或百万分之几(ppm).

基本形式

共振板振动的第一和最低频率顺序由板的物理尺寸决定.

赫兹(赫兹)

频率的基本测量单位.它是用来表示一秒钟内一个事件完全发生的量度.晶体的频率以兆赫(MHz)或千赫(kHz)为单位测量.

绝缘电阻

晶体引线之间以及晶体引线和基极之间的电阻,以最小值表示.

负载电容

呈现给晶体的电容,单位为皮法(pF).并联负载谐振频率是负载电容的函数.

运行方式

石英晶振被设计成在其基模或其泛音上振动.对于AT切割石英晶体,泛音模式为奇数频率谐波.石英器件的工作模式是决定振荡频率的因素之一.

运动电容

晶体单元中的等效静电电容分量.晶体的运动电容(C1)和运动电感(L1)以串联谐振频率(FS)谐振.C1的实际值在石英晶体设计中实现时有物理限制.这些限制包括操作模式,晶体切割,机械设计和标称频率.

运动电感

晶体单元中的等效电感元件.晶体的运动电感(L1)和运动电容(C1)以串联谐振频率(FS)谐振.L1的实际值在石英晶体设计中实现时有物理限制.这些限制包括操作模式,晶体切割,机械设计和标称频率.

标称频率

晶体的指定参考频率或中心频率,通常以兆赫(MHz)或千赫(kHz)表示.晶体设计和制造所需的频率.

工作温度范围

设备在振荡过程中可以承受的最低和最高温度.在此温度范围内,所有设备规定的操作参数都得到保证.