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关键词： 精工晶振晶振厂家石英晶体振荡器京瓷晶振精工晶振西铁城晶振村田晶振进口晶振大河晶振 CTS晶振微晶晶振

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: EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面声波振荡器

频率：100~200MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技术
参数资料

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

: EPSON晶振,SAW振荡器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

频率：100~700MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术，使用IC与晶片设计匹配技术：是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性，必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

: EPSON晶振,SAW振荡器,XG-1000CA/CB晶振

频率：50~170MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,可编程有源晶体,SG-8506CA晶振

频率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,有源晶体振荡器,SG-9001LB晶振

频率：10~166MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

频率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG-8101系列晶振

频率：0.67~170MH...
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,可编程石英晶体振荡器,SG-8003晶振

频率：1~166MHZ
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片晶体振荡器,SG-8002CE晶振

频率：1~125MHZ
尺寸：3.2×2.5mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片振荡器,SG5032CAN晶振

频率：1~75MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振

频率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片有源晶振,SG2016CAA晶振

频率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MT3

频率：2.375~60MH...
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,“SG-211SEE 26.0000MT3”产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,进口有源晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0

频率：1~75MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,“SG-210STF 24.0000ML0”比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

: EPSON晶振,2520贴片晶振,SG-210SEH晶振

频率：80~170MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG-210SED晶振

频率：50~80MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

频率：2~60MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，“SG-210SEB 26.0000MF3”,在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

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