频率：10-245MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
ILSI晶振,温补晶振,I795晶振，3225mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
随着时间的推移，频率值随着晶振变化的大小，有年老化和日老化两种指标。高精度恒温晶振（OCXO）可以达到10-8 ppm/年。以上是选型时工程师应考虑的晶振参数，前5个参数一般就能选出相对应的石英晶振型号。其中最重要的指标是晶振频率稳定度。所谓高端，就是晶振频率稳定度非常好的晶振。随着技术的发展，对高端晶振的需求会日益增加。我们的恒温晶振（OCXO）频率稳定性可以达到10-9级别。
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ILSI晶振 |
单位 |
晶振参数 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
10-245MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-50°C to +150°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
100 µW Max |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF to 32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +125°C, DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。金属面晶振,高性能晶振,I795晶振
输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗石英晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。
机械处理
当贴片晶振发生外置撞击时，任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏，或者频率不稳定现象。 不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。金属面晶振,高性能晶振,I795晶振
如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。
ILSI晶振,温补晶振,I795晶振
ILSI晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理，尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担，并通过业务发展推进环境改善。
ILSI晶振遵守所有适用的有关环境、健康和安全的智能手机晶振法律和法规以及CTS晶振集团自己的有关环境、工业卫生和安全的方针和承诺。
与我们的员工一起开创并保持一个免于事故的工作场所。重视污染预防，消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效。
将持续的环境、健康和安全方面的改进、污染预防和员工的3225小体积振荡器努力纳入日常运行当中。加强污染防治，减少现有的污染废弃物以及在未来生产制造中所产生的污染。金属面晶振,高性能晶振,I795晶振
ILSI晶振集团为车载级晶体振荡器确保安全、提高保护预防措施、产品的可靠性以及职业安全，确保职业健康与环境的优越性，通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进，保护人群及财产与环境。
ILSI晶振,温补晶振,I795晶振
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