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进口温补晶振大全,提供日本进口温补节能改造-欧美进口温补晶振!
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ILSI晶振,温补晶振,I737晶振

频率:8-40.0MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.


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        ILSI晶振,温补晶振,I737晶振,3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.     

牵引范围(VCXO):是针对VCXO压控晶振的参数。带有压控功能的晶振为(VCXO),即通过调节控制电压改变输出频率。牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值。此值一般用ppm表示。通常牵引范围大约为100 - 200ppm,取决于VCXO压控晶振的结构和所选择的晶体。

ILSI晶振

单位

晶振参数

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

8-40.0MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-50°C to +150°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C

标准温度

激励功率

DL

100 µW Max

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.longhusz.com/

频率温度特征

f_tem

±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF to 32pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +125°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

金属面晶振,进口晶振,I737晶振

我们可以改善的频率输出的偏差超过范围由以下几个方法:

 调整外部电容,Cd和CG的值。

 如果由频率计数器测量频率比目标频率高,要增加外部电容CL(或Cd以及C 8的值),以降低频率到我们的目标频率,反之亦然。金属面晶振,进口晶振,I737晶振

 可以采用不同负载电容(CL)的晶振试用。

 试用晶振具有较低电容若频率比目标频率超高很多的话。

请检查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正确的电容是通过和频率调节到目标之后。根据该波形振幅收缩,由于增加外部电容,请使用方法2调整频率(较低的外部电容,并采用低电容的晶体)的情况。金属面晶振,进口晶振,I737晶振

频率输出频率的目标只有三分之一。

下面的曲线表示石英晶体的电阻的特征:

有源晶振具有多种振动模式,如基频, 3次泛音,5次泛音等等。当基频模式应用时,晶振的电阻是最低的,这意味着它是最简单的石英晶体振荡器。当第三色调模式被应用,一个放大电路必须被利用以降低基本模式的频率反馈到所述延伸小于所述第三音调模式。

因此,如果频率是只有三分之一的目标频率时,要检查是否放大处理电路被施加或它的设定值就足够了,因为电路的环境适合于基本模式,而不是第三次泛音调模式。

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   ILSI晶体科技本于‘善尽企业责任、降低低消耗晶振对环境冲击、提升员工健康’的理念,执行各项环境及职业安全卫生管理工作;落实公司环安卫政策要求使环境暨安全卫生管理成效日益显著,不仅符合国内环保、劳安法令要求,产品同时也能达到国际环保、安全卫生标准.
       2003年通过ISO14001环境管理系统验证,秉持“污染预防、持续改善”之原则,公司事业废弃物产出量逐年降低,可回收、再利用之废弃物比例逐年提高,各项排放检测数据符合政府法规要求.并由原材料管控禁用或限用环境危害物质与国际大厂对于绿色生产及绿色小型SMD式3225晶振产品的要求相符,于2004年通过SONY  绿色伙伴(Green Partner)验证.金属面晶振,进口晶振,I737晶振
       劳工职业安全卫生议题近年成为世界各国及企业关注焦点,如何做到‘降低职业灾害发生、确保有源贴片晶振工作场所安全、实施员工健康管理’一直是ILSI晶体努力的方向

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