频率：1-51.84MHZ
尺寸：20.7-12.6mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
ILSI晶振,压控晶振,I202晶振，20.7*12.6mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
随着时间的推移，频率值随着晶振变化的大小，贴片晶振有年老化和日老化两种指标。高精度恒温晶振（OCXO）可以达到10-8 ppm/年。以上是选型时工程师应考虑的晶振参数，前5个参数一般就能选出相对应的石英晶振型号。压控晶体振荡器是通过调节（控制脚）电压，使振荡器输出频率变化的石英晶体振荡器，主要是通过变容二极管（Vd）的电容的变化，使晶体谐振器的振荡频率发生变化。
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ILSI晶振 |
单位 |
晶振参数 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
1-51.84MHZ |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-50°C to +150°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
100 µW Max |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
8pF to 32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +125°C, DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振
输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗石英晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。
机械处理
当贴片晶振发生外置撞击时，任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏，或者频率不稳定现象。 不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振
如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。
ILSI晶振,温补晶振,I202晶振
ILSI晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理，尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担，并通过业务发展推进环境改善。
ILSI晶振遵守所有适用的有关环境、健康和安全的有源晶振法律和法规以及CTS晶振集团自己的有关环境、工业卫生和安全的方针和承诺。
各项能源、资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。实施创新战略，提高自主创新能力，确保公司可持续发展。实施节约战略，提高建设节约环保型企业能力，确保实现节能环保规划目标。
将持续的环境、健康和安全方面的改进、污染预防和员工的大体积压控晶振努力纳入日常运行当中。加强污染防治，减少现有的污染废弃物以及在未来生产制造中所产生的污染。低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振
ILSI晶振集团为超小型压控晶振确保安全、提高保护预防措施、产品的可靠性以及职业安全，确保职业健康与环境的优越性，通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进，保护人群及财产与环境。
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