温补晶振,低电流电压晶振,I122晶振

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ILSI晶振,贴片晶振,I122晶振

频率：1-40.0MHZ

尺寸：18.3*11.7mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

订购热线：0755-29952551

ILSI晶振,贴片晶振,I122晶振，石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中音叉晶振表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使温补晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

ILSI晶振	单位	晶振参数	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1-40.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	标准温度
激励功率	DL	100 µW Max	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.longhusz.com/
频率温度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF to 32pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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插件型晶振安装注意事项：

安装时的注意事项导脚型有源晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封。

1.修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时，以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚，如果强制地拔出导脚，会引起玻璃的破裂，而导致壳内真空浓度的下降，有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损。(2) 要修改弯曲的导脚时，要压住外壳基侧的导脚，且从上下方压住弯曲的部位，再进行修改。温补晶振,低电流电压晶振,I122晶振

2.弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时，导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位。如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲，有可能导致玻璃的破碎。(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时，务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分。温补晶振,低电流电压晶振,I122晶振

如果直接在外壳部位焊接，会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损。应注意将石英晶振平放时，不要使之与导脚相碰撞，请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ，并使之大于外壳的直径长度(D)。

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ILSI晶体科技本于‘善尽企业责任、降低石英晶振对环境冲击、提升员工健康’的理念,执行各项环境及职业安全卫生管理工作;落实公司环安卫政策要求使环境暨安全卫生管理成效日益显著,不仅符合国内环保、劳安法令要求,产品同时也能达到国际环保、安全卫生标准.
2003年通过ISO14001环境管理系统验证,秉持“污染预防、持续改善”之原则,公司事业废弃物产出量逐年降低,可回收、再利用之废弃物比例逐年提高,各项排放检测数据符合政府法规要求.并由原材料管控禁用或限用环境危害物质与国际大厂对于绿色生产及绿色普通有源晶振产品的要求相符,于2004年通过SONY 绿色伙伴(Green Partner)验证.温补晶振,低电流电压晶振,I122晶振
劳工职业安全卫生议题近年成为世界各国及企业关注焦点,如何做到‘降低职业灾害发生、确保有源插件晶振工作场所安全、实施员工健康管理’一直是ILSI晶体努力的方向,公司于2008年12月通过OHSAS18001职业安全卫生管理系统验证,提供劳工符合系统要求的安全卫生工作环境.

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