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: EPSON晶振,有源晶体振荡器,SG-9001LB晶振

频率：10~166MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

频率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG-8101系列晶振

频率：0.67~170MH...
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,可编程石英晶体振荡器,SG-8003晶振

频率：1~166MHZ
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片晶体振荡器,SG-8002CE晶振

频率：1~125MHZ
尺寸：3.2×2.5mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片振荡器,SG5032CAN晶振

频率：1~75MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片晶振,SG2016CAN晶振

频率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,贴片有源晶振,SG2016CAA晶振

频率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MT3

频率：2.375~60MH...
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,“SG-211SEE 26.0000MT3”产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: EPSON晶振,进口有源晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0

频率：1~75MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,“SG-210STF 24.0000ML0”比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

: EPSON晶振,2520贴片晶振,SG-210SEH晶振

频率：80~170MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG-210SED晶振

频率：50~80MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

频率：2~60MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技术
参数资料

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，“SG-210SEB 26.0000MF3”,在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: EPSON晶振,EG-4121CA晶振,EG-4101CA晶振,贴片有源晶振,EG-4101CA 156.2500M-LGWAL

频率：100~700MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，“EG-4101CA 156.2500M-LGWAL3”,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良。

: EPSON晶振,EG-2121CB晶振,EG-2102CB晶振,贴片型声表滤波器,EG-2102CB 156.2500M-LGP

频率：100~700MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技术
参数资料

小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，“EG-2102CB 156.2500M-LGPAL3”,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良。

: EPSON晶振,EG-2101CA晶振,声表面滤波器,EG-2101CA 62.500M-DCHL3

频率：62.5~100MH...
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

小型贴片石英晶振主要采用了，“EG-2101CA 62.500M-DCHL3”先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良。

: EPSON晶振,EG-2021CA晶振,OSC振荡器

频率：62.5~250MH...
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技术
参数资料

小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良。

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