超小型低功耗32.768kHz的SiT1552系列MEMS温度补偿振荡器,SiT1552AI-JE-DCC-32.768Q

SiT1552是一款超小型超低功耗32.768kHz TCXO，针对电池供电应用进行了优化。SiTime的硅MEMS技术实现了世界上最小尺寸和芯片级封装(CSP)的第一个32 kHz TCXO。典型的内核电源电流仅为1 A，SiTime的MEMS振荡器由MEMS谐振器和一个可编程模拟电路组成。我们的MEMS谐振器采用SiTime独特的MEMS First工艺制造。一个关键的制造步骤是EpiSeal，在此期间，MEMS谐振器在1000°c以上的温度下退火。EpiSeal产生了一个非常坚固、干净的真空室，用于封装MEMS谐振器，并确保最佳性能和可靠性。在EpiSeal期间，在谐振器腔的顶部生长多晶硅帽，这消除了对额外的帽晶片或其他外来封装的需要。因此，SiTime的MEMS谐振器芯片可以像任何其他半导体芯片一样使用。SiTime的MEMS优先和EpiSeal制造工艺的一个独特成果是能够将SiTime的MEMS芯片与SOC、ASIC、微处理器或模拟芯片集成在一个封装内，以消除外部时序元件，并为客户提供高度集成、更小、更便宜的解决方案。

SiT1552是一款超小型µPower、±5ppm至±20ppm、32.768kHz TCXO（温度补偿晶振），采用1.5x0.8mm芯片级封装。典型的内核电源电流仅为1μA。与标准石英振荡器不同，SiT1552具有NanoDrive™，这是一种工厂可编程输出，可降低电压摆幅以最大限度地降低功耗。SiT1552已在多个温度点进行工厂校准，以确保在±5ppm至±20ppm（初始温度和整个温度范围内）范围内极其严格的频率稳定性.

编码SiT1552AI-JE-DCC-32.768Q，SiT1552振荡器特征：
32.768 kHz 5、10、20 ppm频率稳定性选项(整个温度范围内)
世界上最小的TCXO，采用1.5x0.8mm CSP封装
工作温度范围:0℃至+70℃，-40℃至+85℃，超低功耗:<1A
Vdd电源电压范围:1.5V至3.63V
提高了稳定性，减少了网络计时更新，降低了系统功耗
内部滤波消除了外部Vdd旁路电容，节省了空间
无铅，符合RoHS和REACH标准

应用程序：
智能电表(AMR)
健康和保健监测
每秒脉冲(pps)计时
RTC参考时钟

TCXO频率稳定性SiT1552在多个温度点上经过工厂校准(调整),以确保在整个温度范围内具有极高的稳定性。与具有经典音叉抛物线温度曲线的石英晶体不同，SiT1552的温度系数是通过有源温度校正电路在整个温度范围内进行校准和校正的，其翻转点为25°C，温度系数为0.04 ppm/C2。结果是32 kHz TCXO，在-40°C至+85°C温度范围内频率变化非常小。Contact SiTime适用于要求大于3.63 V的较宽电源电压范围或低于32 kHz的较低工作频率的应用。用频率计数器测量SiT1552输出频率时，务必确保计数器的选通时间大于100 ms，32 kHz时钟的低频率会在较快的选通时间产生错误读数。

电源抗扰度除了消除标准XTALs常见的外部输出负载电容之外，该器件还具有特殊的电源滤波功能，因此无需外部Vdd旁路去耦电容，从而使尺寸尽可能小。内部电源滤波旨在抑制150 mV以上的噪声和低频至10 MHz以上的频率成分。

启动和稳态电源电流SiT1552 TCXO在300 ms(典型值300 ms)内启动至有效输出频率。为确保器件在规定限值内启动，请确保电源在大约10–20 ms内斜升(至Vdd的90%以内)。初始上电期间，SiT1552对内部模块进行上电循环，如“典型工作曲线”部分的电源启动和稳态图所示。上电和初始化通常为200 ms，在此期间，随着内部电容充电，峰值电源电流达到28 A，然后依次降至990 nA稳态电流。稳态工作期间，内部温度补偿电路每350 ms开启一次，持续时间约为10 ms。