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当前位置: 首页 » 贴片晶振 » 5032晶振
EPSON晶振,贴片振荡器,SG5032CAN晶振

EPSON晶振,贴片振荡器,SG5032CAN晶振

频率:1~75MHZ
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
CTS晶振,贴片晶振,445晶振,445C35A12M00000晶振

CTS晶振,贴片晶振,445晶振,445C35A12M00000晶振

频率:12.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.35mm pdf 晶振技术
参数资料
贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体谐振器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
EPSON晶振,EG-2121CB晶振,EG-2102CB晶振,贴片型声表滤波器,EG-2102CB 156.2500M-LGP

EPSON晶振,EG-2121CB晶振,EG-2102CB晶振,贴片型声表滤波器,EG-2102CB 156.2500M-LGP

频率:100~700MHZ
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,“EG-2102CB 156.2500M-LGPAL3”,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良。
EPSON晶振,EA-2102CB晶振,SAW滤波器

EPSON晶振,EA-2102CB晶振,SAW滤波器

频率:100MHZ
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良。
KDS晶振,贴片晶振,DSV531SB晶振,DSV532SB晶振

KDS晶振,贴片晶振,DSV531SB晶振,DSV532SB晶振

频率:5~50MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能,产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率,使产品永远控制在一定的频率范围,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用:调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等

KDS晶振,DSV531SV晶振,DSV532SV晶振,压控晶振

KDS晶振,DSV531SV晶振,DSV532SV晶振,压控晶振

频率:1.25~80MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能,产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率,使产品永远控制在一定的频率范围,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用:调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等

KDS晶振,DSA535SD晶振,进口有源晶振

KDS晶振,DSA535SD晶振,进口有源晶振

频率:9.6~40MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

压控温补晶体系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

KDS晶振,DSA535SC晶振,进口有源晶振

KDS晶振,DSA535SC晶振,进口有源晶振

频率:10~30MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

压控温补晶体系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

KDS晶振,DSB535SG晶振,有源晶振

KDS晶振,DSB535SG晶振,有源晶振

频率:10~40MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

温补晶振(TCXO),产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

KDS晶振,DSB535SD晶振,有源贴片晶振

KDS晶振,DSB535SD晶振,有源贴片晶振

频率:9.6~40MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

温补晶振(TCXO),产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

KDS晶振,DSB535SC晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSB535SC晶振,贴片晶振

频率:10~30MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

温补晶振(TCXO),产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

CTS晶振,无源晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振

CTS晶振,无源晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振

频率:6.76438MHZ...
尺寸:5.0*3.2mm pdf 晶振技术
参数资料
  晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
KDS晶振,DSO533SK晶振,贴片晶振

KDS晶振,DSO533SK晶振,贴片晶振

频率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

频率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶体振荡器

KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶体振荡器

频率:0.2~167MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,贴片型普通有源晶振

KDS晶振,DSO531SBM/SBN/SVN晶振,贴片型普通有源晶振

频率:0.7~90MHz
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技术
参数资料

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

KDS晶振,DSX531S晶振,无源贴片晶振

KDS晶振,DSX531S晶振,无源贴片晶振

频率:10~70MHz
尺寸:4.9×3.1mm pdf 晶振技术
参数资料

高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作

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